شركة "تشينغشين ميموري تكنولوجيز" تحرز تقدماً في بنية ذاكرة DRAM ذات الخلية 4F Square

أعلنت شركة "تشينغشين ميموري تكنولوجيز" (CXMT) عن تحقيق تقدم تقني في تطوير بنية خلية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية "DRAM" بتقنية 4F Square. ويهدف هذا التصميم إلى زيادة الكثافة التخزينية للذاكرة من خلال تقليص المساحة التي تشغلها خلايا الذاكرة الفردية مقارنة ببنية 6F Square التي تمثل المعيار الصناعي الحالي.

ومن المقرر البدء في النشر التجاري لمنتجات ذاكرة الخوادم التي تستخدم تصميم 4F Square في أواخر عام 2026. ويضع هذا التطوير شركة CXMT على مسار يتوافق مع الخرائط التقنية للشركات المنافسة العالمية الكبرى، بما في ذلك "سامسونج إلكترونيكس" و"إس كيه هاينكس"، اللتين تسعيان لتحقيق تحسينات هيكلية مماثلة.

تشينغشين ميموري تكنولوجيز

ويمثل الانتقال إلى بنية 4F Square تحولاً بارزاً في كفاءة تصنيع أشباه الموصلات. ومن شأن التطبيق الناجح لهذه التقنية أن يعزز المكانة التنافسية لإنتاج الذاكرة المحلي في الصين عبر تحسين مؤشرات الأداء والسعة التخزينية في الأجهزة الخاصة بالخوادم.

ويشير هذا التقدم إلى تقلص الفجوة التكنولوجية في تصميم رقائق الذاكرة بين الشركات الصينية والشركات العالمية الرائدة في السوق. وقد يؤدي الاستمرار في هذا المجال إلى التأثير على ديناميكيات سلاسل التوريد المستقبلية والتوزيع العالمي لمكونات الذاكرة عالية الكثافة.