Samsung ve TSMC yeni nesil litografi teknolojisine geçiş planlarını açıkladı

Samsung ve TSMC, gelişmiş çip üretim süreçlerinde ASML High NA EUV litografi sistemlerini kullanmaya hazırlanıyor. Samsung bu teknolojiyi 2028 yılından itibaren DRAM üretiminde, TSMC ise 2030 itibarıyla gelişmiş üretim süreçlerinde devreye almayı planlıyor. Bu hamle, küresel yarı iletken pazarında Intel ile başlayan yeni nesil üretim standartlarına geçiş sürecini hızlandırıyor.

Şirketler, üretim verimliliğini artırmak ve maliyetleri düşürmek amacıyla 12 inçlik fotomaskelere geçiş için ortak çalışma yürütüyor. High NA EUV teknolojisi, silikon üzerinde daha yoğun devre desenleri oluşturulmasına olanak tanıyarak ileri üretim süreçlerinde kritik bir rol oynuyor. Ancak sistemlerin fabrikalara entegrasyonu, üretim hatlarının yeniden yapılandırılmasını ve karmaşık teknik süreçlerin uyumlanmasını gerektiriyor.

Intel’in mevcut üretim deneyimi, yeni teknolojinin verim oranları ve kapasite artışı konusunda zorluklar barındırdığını gösteriyor. Samsung ve TSMC’nin belirlediği takvimler, teknik adaptasyon süreçlerine ve operasyonel verimlilik hedeflerine bağlı olarak değişkenlik gösterebilir. Bu geçiş, yarı iletken sektöründeki rekabet dinamiklerini ve üretim kapasitesi üzerindeki teknolojik baskıyı doğrudan etkiliyor.