Samsung yeni bellek yol haritasını ve zHBM teknolojisini duyurdu

Samsung, 2028 ve sonrası için yeni bellek teknolojileri yol haritasını açıkladı. HBM5 belleklerin, HBM4E nesline kıyasla iki kat performans artışı ve yüzde 20 enerji verimliliği sağlaması hedefleniyor. Bu yeni nesil belleklerde 2 nm üretim teknolojisine geçiş yapılacak ve 20 katmana kadar yığın seçenekleri sunulacak.

Şirket, uzun vadeli stratejisinde zHBM mimarisini öne çıkarıyor. Belleğin işlemci üzerine doğrudan yerleştirildiği bu tasarım, mevcut modellere göre sekiz kat performans artışı ve üç kat enerji verimliliği vadediyor. Termal direnci yüzde 90'a kadar düşürmesi beklenen teknolojinin 2029 sonrasında piyasaya sürülmesi planlanıyor.

NAND tarafında ise zNAND-O teknolojisi geliştiriliyor. 2028 yılında örneklenmesi planlanan bu çözüm, geleneksel NAND birimlerine göre yedi kat daha yüksek okuma bant genişliği ve on kat bit yoğunluğu hedefliyor. Bu gelişmeler, yüksek performanslı hesaplama ve yapay zeka altyapılarında veri darboğazlarını azaltmayı amaçlıyor.